Taas nga Kaputli nga SiC nga Bangka

Ang high-purity silicon carbide (SiC) nga sakayan usa ka high-performance ceramic carrier nga gidisenyo alang sa mga proseso sa semiconductor nga taas ang temperatura, pagtubo sa kristal ug tukma nga pagtambal sa kainit. Kini gi-sinter gamit ang ultra-high purity nga materyal nga SiC ug adunay maayo kaayo nga resistensya sa taas nga temperatura, resistensya sa thermal shock ug kalig-on sa kemikal. Kini kaylap nga gigamit sa semiconductor diffusion, CVD, LED epitaxy ug photovoltaic single crystal growth.

Paggamit:

Ang High Purity SiC Boat usa ka importanteng semiconductor process consumable, nga kasagarang gigamit sa pagdala ug pagbalhin sa mga wafer sa mga palibot nga taas og temperatura, ug kaylap nga gigamit sa silicon wafer diffusion, oxidation, annealing ug CVD processes. Kini ilabi na nga angay alang sa mga proseso nga taas og temperatura sa mga third-generation semiconductors (sama sa SiC/GaN) ug mga power device.

Mga serbisyo nga mahimong mahatag:

pag-analisar sa senaryo sa aplikasyon sa kustomer, pagpares sa mga materyales, pagsulbad sa teknikal nga problema.

Profile sa kompaniya:

Ang Semixlab adunay 2 ka laboratoryo, usa ka grupo sa mga eksperto nga adunay 20 ka tuig nga kasinatian sa materyal, nga adunay mga kapabilidad sa R&D ug produksiyon, pagsulay ug pag-verify.

Technical lantugi

Pangunang mga natad sa aplikasyon

Pag-endorso sa beripikasyon sa kadena sa ekolohiya

Ang ecological chain verification sa Semixlab High-Purity SiC Boat naglangkob sa mga hilaw nga materyales hangtod sa produksiyon, nakapasar sa internasyonal nga sumbanan nga sertipikasyon, ug adunay daghang patentadong teknolohiya aron masiguro ang kasaligan ug pagpadayon niini sa semiconductor ug bag-ong mga natad sa enerhiya.

Kasagaran nga proseso sa aplikasyon

Pag-andam sa Hilaw nga Materyales (Taas nga Kaputli nga SiC Powder) → Proseso sa Pagporma (Dry Pressing/Isostatic Pressing) → Proseso sa Sintering → Pag-machining ug Paghuman sa Ibabaw (CNC Grinding/Polishing, Chemical Etching, Annealing) → Pagputli ug CVD Coating → Pagkontrol sa Kalidad → Pagputos

Pinaagi sa pinakabag-o nga pag-optimize sa mga parameter sa proseso, ang talagsaon nga disenyo sa istruktura sa Semixlab High-Purity SiC Boat nagsiguro sa maayo kaayong kalig-on sa wafer samtang nagpamenos pag-ayo sa risgo sa kontaminasyon sa partikulo. Ang kinabuhi sa serbisyo niini mahimong moabot sa 5-8 ka pilo kaysa sa tradisyonal nga mga quartz boat, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga solusyon sa pagdala alang sa pagproseso sa wafer nga taas ang temperatura. Kini nga inobasyon nagtugot niini nga hinay-hinay nga pulihan ang mga imported sa merkado sa semiconductor, nga naghatag usa ka taas nga performance, barato nga solusyon sa lokal.

Alang sa detalyadong teknikal nga mga detalye, mga white paper, o mga kahikayan sa pagsulay sa sample, palihug kontaka ang among Technical Support Team aron mahibal-an kung giunsa sa Semixlab mapauswag ang kahusayan sa imong proseso.

Mga pangunang bentaha sa Semixlab High-Purity SiC Boat

1. Hilabihan nga kaputli (pangunang bentaha)

Ang Semixlab High-Purity SiC Boat adunay ultra-high purity (≥99.9999%), ug ang impurity content (Fe, Al, Na, ug uban pa) gikontrol sa 1 ppm level aron malikayan ang kontaminasyon sa mga wafer o epitaxial nga materyales, nga labi ka angay alang sa paggama sa SiC/GaN semiconductor.

2. Kemikal nga inertness (resistensya sa corrosion)

Dili maapektuhan sa asido, alkali/plasma erosion, ug makasukol sa mga corrosive gas sama sa HF, HCl, H2 (sama sa mga proseso sa semiconductor etching). Walay gas nga mogawas sa taas nga temperatura.

3. Kusog sa mekanikal ug gitas-on sa kinabuhi

Taas kaayo ang katig-a, maayo kaayong resistensya sa pagkaguba, makapakunhod sa risgo sa pagkahulog sa mga partikulo, ug makapalugway sa kinabuhi sa serbisyo (kasagaran 3 ngadto sa 5 ka pilo kay sa quartz boat). Dili dali mausab ang porma sa taas nga temperatura, nga nagmintinar sa pagkapatag sa wafer (sama sa warpage sa diffusion furnace nga <0.1mm).

4. Pagkaangay sa proseso

Mapahiangay sa lain-laing mga malisod nga palibot, mga atmospera sa oksihenasyon/pagkunhod (sama sa O2, H2, Ar) ug mga proseso sa pag-coat sa CVD/PVD. Ang nawong mahimong ipasibo, sama sa pagpasinaw (Ra<0.1μm) o pag-coat (sama sa SiO2) aron mas makunhuran ang kontaminasyon.