CVD Silicon Carbide (SiC) Coating

Ang CVD SiC coating kay usa ka silicon carbide layer nga gibutang sa graphite, ug kini kaylap nga gigamit sa mga epitaxy tools diin ang temperatura ug kalimpyo importante. Sa tinuod nga mga linya sa produksiyon, kanunay nimo kining makita sa mga sistema gikan sa AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, ingon man sa pipila ka mga plataporma nga may kalabutan sa AMAT. Ang nakapahimo niini nga mapuslanon dili lang ang resistensya sa temperatura, apan ang kinatibuk-ang kalig-on sa dugay nga pagdagan. Ubos sa tipikal nga mga kondisyon sa epitaxy — hydrogen, ammonia, o bisan mga chlorinated gases — ang coating magpabilin nga medyo lig-on ug manalipod sa graphite sa ilawom. Makatabang kini sa pagpabilin nga mas makanunayon ang thermal field ug pagpakunhod sa posibilidad nga makita ang mga partikulo atol sa pagtubo.

Kasagaran, ang coating gigamit sa mga parte sama sa susceptors, wafer carriers, graphite rings, o half-moon components. Kini silang tanan direktang nalambigit sa pagpainit o pagposisyon sa wafer, busa ang bisan unsang gamay nga kawalay kalig-on makaapekto sa ani. Tungod niana, ang mga coated parts kasagarang giisip nga mga consumables nga kinahanglan gihapon nga kasaligan sa daghang mga siklo, labi na sa 4 hangtod 12 ka pulgada nga produksiyon.